關於金氧半場效電晶體（MOSFET）的小信號模型，下列敘述何者錯誤？
A在特定（W/L）的條件下，ro 與偏壓電流成正比正確答案
B在特定（W/L）的條件下，偏壓電流越大則 gm 越大
C在特定（W/L）的條件下，元件的直流偏壓 VGS 越大則 gm 越大
D對共源級（common source）放大器而言，輸入阻抗為無窮大
答案與詳解
為什麼答案是 A
根據公式 ro = Va / ID（或 1 / λID），輸出電阻 ro 與偏壓電流 ID 成「反比」，而非正比。本題選錯誤敘述，故此為正確答案。
考點：輸出電阻 ro考點：轉導 gm考點：輸入阻抗
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