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鐵路人員考試高員三級-電子工程電子學大意10826單選題

關於金氧半場效電晶體(MOSFET)的小信號模型,下列敘述何者錯誤?

題目圖片
A在特定(W/L)的條件下,ro 與偏壓電流成正比正確答案
B在特定(W/L)的條件下,偏壓電流越大則 gm 越大
C在特定(W/L)的條件下,元件的直流偏壓 VGS 越大則 gm 越大
D對共源級(common source)放大器而言,輸入阻抗為無窮大
答案與詳解
A
正確答案
MOSFET 的輸出電阻 ro 與偏壓電流 ID 成反比,而非正比;轉導 gm 則隨 ID 或 VGS 增加而增大。

為什麼答案是 A

根據公式 ro = Va / ID(或 1 / λID),輸出電阻 ro 與偏壓電流 ID 成「反比」,而非正比。本題選錯誤敘述,故此為正確答案。

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