104 年 · 電子學大意

某非反相放大器使用一 20 kΩ 的可變電阻 Rf 作為回授電阻構成增益可調放大器,當輸入端電阻 R 值為多少時,最大增益為 5…

如圖所示為何種電路？

雙極性接面電晶體為具有幾個端點之元件？

下圖電路中，由輸入端 V1 和 V2 所分別看到的輸入電阻 Rin1、Rin2 為何？

有關一般二極體空乏區的敘述，下列何者錯誤？

最簡單的截波電路所用的元件有：

當 P 型及 N 型材料形成 PN 接面時，接面處會產生一空乏層，而 P 型側之空乏層內主要的帶電粒子為：

如圖所示之電路，輸入電壓vi 為一交流弦波，有效值為100 V，頻率為 60 Hz，二極體導通之壓降皆為0.7 V，則其輸出之漣…

有一小訊號等效電路如下圖所示，已知R1 = 100 kΩ、C2 = 30 nF、R3 = 420 kΩ。試求 Vg (s) / …

在矽單晶體內，加入何種雜質會形成 P 型半導體？

已知一個矽二極體之逆向飽和電流每升高 10℃約成為原先之兩倍。在溫度 25℃時的逆向飽和電流為 3 nA，當逆向飽和電流增加到 …

圖示理想二極體電路中，輸入 vI 為弦波，其峰值電壓為 10 V，若輸出 vO 的漣波很小，可忽略不計，則二極體 D 的逆向電壓…

下圖為一個 CMOS 邏輯電路，請問輸出 F 為何？

分析以下之電路，若稽納（Zener）二極體之崩潰電壓為 6 V，二極體之導通電壓為 0.7 V，則流過二極體之電流為何？

如圖所示之電路，假設每個二極體的順向壓降為 0.7 V，且順向電阻為 0，則 Io 約為：

若 P-N 接面二極體之導通電壓為 0.7 V，且導通電阻值為 0 Ω。則電阻 10 kΩ 上之電流為何？

如圖所示之二極體電路，假設二極體導通電壓 VD0 = 0.7 V。已知電壓 vs (t) = 12 sin (120 πt)V、…

如圖所示之電路，若 BJT 電晶體操作在順向主動區，忽略爾利效應（Early Effect ）與所有其他電容，假使此電路之功率消…

如圖所示之電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region），且忽略元件之寄生電容與輸出阻抗，下列何種調…

如圖所示之接面場效電晶體 （JFET） 放大器，已知工作點閘源極電壓VGS 為-2.8 V，汲極電流 ID 為 4.5 mA，I…

一維持工作於飽和模式（ Saturation Mode ）的 MOSFET ，若其汲極電流 ID 增為 4 倍，則其轉導（Tra…

若雙極性接面電晶體（ BJT）工作在主動區（Active Region ）的電流 IC = 2 mA，電流放大率 β = 100…

接成共射極組態的雙極性接面電晶體（BJT）放大器，其通常之特性為何？

如圖所示放大器 ， 若BJT 電晶體操作於順向主動區（Forward Active Region）且忽略爾利效應（Early E…

如圖電路為一共源放大器的簡圖 ， 若電晶體之臨界電壓（Threshold Voltage）Vt = 0.5 V；又VDD = 5…

下圖為npn 電晶體之混合π 等效電路。假設此電晶體在集極電流IC = 1 mA時其相關參數為β = 100、Cμ = 0.08…

圖示雙極性接面電晶體（BJT）電路，若電晶體 β = 100，電流 I = 1 mA，則輸入阻抗 Rin 約為若干 kΩ？

若某一 n 通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET） 之臨界電壓 （Threshold Voltage）Vt = 1 V，且其汲…

分析下圖之電路 ， 若MOSFET 之轉導值 gm = 1 mA/V 且操作於飽和區 ， 元件之輸出阻抗ro = 10 kΩ，R…

如圖之差動對電路，電晶體之 gm = 4 mA/V，Vt = 0.5 V，RL = 10 kΩ，RD = 5 kΩ，RS = 0…

下列有關於以運算放大器組成之韋恩電橋振盪器（Wien-Bridge Oscillator）的描述，那一項正確？

如圖所示之理想運算放大器電路，其 -3 dB 頻率為何？

如圖之理想運算放大器電路，下列敘述何者正確？

有一電路的轉移函數 T(s) = 100/(1+s)，頻率為 10 rad / sec 時，增益約為若干 dB？

下列何者是影響放大器高頻響應衰減的因素？

如圖所示放大器，外接電容為 CC1、CC2 和 CS，MOSFET 的寄生電容為 Cgs 和 Cgd。當電壓增益的絕對值 VA …

一個 MOS 疊接放大器（Cascode Amplifier）主要是用來達成下列那一個功能？

有一放大器電路的轉移函數（Transfer Function） F(s) = Vo(s)/Vi(s) ，其中 s = jω = …

下圖為由理想運算放大器所組成之考畢子振盪器電路，其振盪頻率為何？

分析以下之電路 ， 若MOSFET 操作在飽和區且轉導值 gm 為 1 mA / V；BJT 操作在順向主動區（Forward …