對於 CMOS（Complementary MOS，又稱互補MOS）反相器電路，VDD 爲汲極偏壓，下列敘述何者正確？
A直流功率損耗較交流功率損耗大
B交流功率損耗大，並與 $\mathbf{V}_{\mathrm{DD}}$ 成正比
C交流功率損耗大，並與 $V_{DD}$ 平方成正比正確答案
D交流功率損耗大，但與 $V_{DD}$ 無關
答案與詳解
為什麼答案是 C
完全正確。CMOS的主要損耗來自狀態切換時對電容充放電的交流(動態)功耗，且依公式 P = f × C × VDD²，與VDD平方成正比。
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