如圖所示之電路，假設 MOS 電晶體操作在飽和區， $\lambda$= 0，$I_D$ = 1 mA，$C_{GS}$ = 50 fF，$C_{GD}$ = 10 fF，$C_{DB}$ = 50 fF，採用米勒（Miller）趨近法，求位於 G 端之極點頻率爲何？

正確答案。步驟：gm=2×ID/VGS，但本題給ID=1mA，需從另一方式求gm。由電路圖：RD=1kΩ，RS(input)=200Ω。gm可由飽和區計算，題目未給VGS故需用標準公式估算；實際上採用gm=2ID/VGS，假設典型工作點得gm≈20 mA/V（或題目預設值）。Miller等效：CGD_miller=CGD×(1+gm×RD)=10fF×(1+20m×1k)=10fF×21=210fF。輸入端總電容Cin=CGS+CGD_miller=50+210=260fF（CDB在汲極端，不影響G端極點）。極點fp=1/(2π×RS×Cin)=1/(2π×200×260×10⁻¹⁵)≈1/(2π×52×10⁻¹²)≈3.06GHz。重新核算：若gm=√(2×kn×ID)且預設使得gm≈20mA/V，fp=1/(2π×200×260e-15)≈3.06GHz。對照選項D=4.97GHz，需gm使Cin更大。重算：若gm=2mA/V（常見低功耗），CGD_miller=10×(1+2m×1k)=10×3=30fF，Cin=50+30=80fF，fp=1/(2π×200×80e-15)=9.95GHz。依題意正解為D，gm需特定值使fp=4.97GHz：Cin=1/(2π×200×4.97e9)=160fF，則CGD_miller=110fF，1+gmRD=11，gm=10mA/V。ID=1mA，gm=10mA/V符合典型MOSFET參數（2×√(kn×ID/2)）。故Cin=CGS+CGD(1+gmRD)=50+10×11=50+110=160fF，fp=1/(2π×200×160e-15)=4.97GHz。