如圖所示 MOSFET 電路，電晶體M 是增強型（enhancement type）n 通道 MOSFET。已知 $V_{DD}$ = 3 V、$V_{tn}$ = 0.6 V、$k_n^{\prime }(W/L)$ = 1.0 mA / $V^2$、$I_D$ = 0.08 mA、忽略輸出電阻 $r_o$，則此電晶體工作的區域為：

圖中閘極與汲極短接(diode-connected)，故VGS=VDS恆成立。飽和條件：VDS ≥ VGS - Vtn，即VGS ≥ VGS - Vtn，等價於Vtn ≥ 0，此條件恆為真。且VGS=1.0V > Vtn=0.6V(已導通)，故工作在飽和區。驗算：½×1.0×(1.0-0.6)²=½×1.0×0.16=0.08mA ✓