如圖所示 MOSFET 電路，電晶體 M 是增強型（enhancement type）n 通道 MOSFET。已知 $V_{DD} = 3 \, V$ 、 $\left|V_{tn}\right| = 0.6 \, V$ 、 $k'_{n}(\mathrm{W/L}) = 1.0 \, \mathrm{mA/V^{2}}$ 、 $I_{D} = 0.08 \, mA$ 、忽略輸出電阻 $r_{o}$ ，則此電晶體工作的區域為：

正確答案為 D。增強型 NMOS 工作區判斷：先驗 VGS>Vtn 導通，再比 VDS 與 VOV 大小決定飽和或三極體區。

國安五等考試-電子組電子學大意104 年第 24 題單選題

如圖所示 MOSFET 電路，電晶體M 是增強型（enhancement type）n 通道 MOSFET。已知 $V_{D D}$ = 3 V、 $V_{t n}$ = 0.6 V、 $k_{n}^{'} (W / L)$ = 1.0 mA / $V^{2}$ 、 $I_{D}$ = 0.08 mA、忽略輸出電阻 $r_{o}$ ，則此電晶體工作的區域為：

Abreakdown region）

Btriode region）

Ccut-off region）

Dsaturation region）正確答案

答案與詳解

正確答案

增強型 NMOS 工作區判斷：先驗 VGS>Vtn 導通，再比 VDS 與 VOV 大小決定飽和或三極體區。

由 ID 反推 VOV=sqrt(2×0.08/1.0)=0.4V。增強型 NMOS 在 VGS>Vtn 且 VDS≥VOV 時進入飽和區，此為類比電路最常見工作點。

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