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專技高考-醫事放射師醫學物理學與輻射安全107 年第 56 題單選題考點:Ge電子電洞對考點:錯誤W值

在室溫條件下,游離輻射在鍺(Ge)元素中產生一個電子-電洞對,平均須損失多少eV的能量?

A2.96正確答案
B5.62
C33.85
D67.70
答案與詳解
A
正確答案
鍺(Ge)在室溫下產生一個電子-電洞對平均能量約 2.96 eV,是半導體偵檢器的核心常數。

逐選項解析

A2.96Ge電子電洞對✓ 正確
鍺(Ge)在室溫(約 300K)下產生一個電子-電洞對所需平均能量為 2.96 eV,是高純度鍺偵檢器(HPGe)能量解析度極佳的關鍵原因。
B5.62錯誤W值✕ 錯誤
5.62 eV 不是常見半導體 W 值。鍺低溫(77K)約 2.96 eV,矽約 3.6 eV,CdTe 約 4.43 eV,皆與此數值不符。
C33.85✕ 易錯陷阱
D67.70✕ 錯誤

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