111 年 · 電子學大意
111年公務人員初等考試 · 共 40 題 · 點題目看答案與詳解
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某增強型 NMOS 場效電晶體的 Vt = 1 V、μnCox(W/L) = 50 μA/V2，今若其電壓 VGS = 2 V，…
有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT ）電路及輸入接腳 VI1、VI2 的電壓波形如下所示，VCC = 5 V ，R1 = R2…
對於一個 PN 接面二極體在逆偏（reverse bias）的條件下，下列何者正確？
如圖所示之電路，OP AMP 為理想。求 vid/i：
如圖所示為一 NMOS 構成的放大器。VDD = 3 V，電晶體之小信號 μnCox = 200 μA/V2，W/L = 10 …
雙極性電晶體接成共集極組態時，其輸出阻抗相較於共射極和共基極組態的輸出阻抗為何？
下列何種矽電晶體具有常閉型通道？
有一半波整流器的輸入電壓峰值為 10 V，則其輸出電壓的峰值大約為：
有一增益為 A = 10000，單極頻率（single pole frequency）為 105 rad/s 之放大器，將其置入…
如圖所示電路為一階主動低通濾波器，若 Ri = 20 kΩ， Rf = 200 kΩ，R1 = 1.5 kΩ，C1 = 0.02…
有一 N 通道接面場效電晶體（JFET）的夾止電壓 VP = - 4 V ，且源極電壓 VS = 0 V， 則下列那一個條件可使…
關於 BJT 電晶體之敘述，下列何者正確？
橋式全波整流電路的輸入信號：vi(t) = 18sin（377t）伏特。其輸出信號之頻率為何？
下圖電路中二極體 D1 之導通電壓為 0.7 V，導通電阻為 0 Ω。電阻值 R = 10 Ω。若 vi (t) = 3 sin…
下圖中二極體 D1 與 D2 之導通電壓為 0.7 V，導通電阻為 0 Ω，輸入信號為弦波，vi (t) = 4 sin 10t…
如圖所示之電路，假設二極體之壓降為 0.7 V，則二極體 D2 之逆向峰值電壓（PIV）為何？
若 P-N 接面二極體之導通電壓為 0.7 V，且導通電阻值為 0 Ω，若 Vi ＝ + 5 V，關於下列電路之敘述，何者正確？
如圖所示理想二極體電路，下列何者為其電壓轉移特性？（其中 m 表斜率）
如圖所示之電路，假設二極體為理想，試求輸出電壓之最大正值為何？
如圖電路，設二極體均為理想二極體，R = 10 kΩ，R1 = R2 = 5 kΩ，V1 = V2 = 5 V。當 vI = 8…
圖示理想二極體電路，下列何者為其電壓轉移特性？（其中 m 表斜率）
電路上某 npn 雙極性接面電晶體（BJT）工作在飽和區（Saturation Region ），已知電路之電源電壓為 8 V，…
某 β = 100 之 npn 雙極性接面電晶體，若 IB = 10 μA，下列何者顯示電晶體工作在飽和區（Saturation…
假設電晶體操作於飽和區，如圖所示共閘極放大器之增益（vo/vi）為何？電晶體之 μnCox = 500 μA/V2，W/L = …
於積體電路設計中使用主動負載的放大器，相對於使用被動負載，其好處不包含下列何者？
下列何種放大器組態有較顯著的米勒效應？
雙極性電晶體（BJT）若工作在截止區時：
矽雙極性電晶體（BJT）工作在飽和區模式時，其基射極之間的電位差約為：
關於雙載子電晶體 （BJT）的小信號模型，下列敘述何者錯誤？
圖示為一種採用集極回授偏壓電路的電晶體共射極放大器，輸出電壓（vo）正半週的最大擺幅恰為 5 V 時，電阻 R 約為多少？電晶體…
如圖採用分壓偏壓電路的電晶體放大電路中，在集極端直接耦接有一 3.5 kΩ 的負載，電晶體基-射極的導通定電壓為 0.8 V 下…
圖示 PMOS 場效電晶體電路，電晶體之 Vt ＝ -0.5 V，若 RG1 ＝ 3 MΩ、RG2 ＝ 2 MΩ、VDD ＝ 5…
如圖所示的方波產生電路在正常工作下並於某個時間點測知 Vf 的電壓值為 8 伏特，此電路中流過電阻器 R 的電流絕對值取其最大與…
有關運算放大器的應用，下列電路何者使用負回授電路？
某電路之轉移函數： T(s) = 10s / (s + 10) ，當角頻率為 10 rad/sec 時，相角為何？
圖示 MOS 電路，vi 為輸入電壓，vo 為輸出電壓，本電路主要作用為何？
圖示為理想運算放大器組成的電路，運算放大器的輸出飽和電壓為 ± 12 V，R1 = 10 kΩ、R2 = 40 kΩ，輸出電壓 …
有關圖示電路中各節點電壓的波形敘述，下列何者正確？
如圖電路，已知輸出 vo 的飽和電壓在±10 V，其 R1 = 100 kΩ，R2 = 1 MΩ；若在電容器 C 旁邊並接一顆二…
如圖二階低通濾波電路，欲實現具有最大平坦度且 3 dB 頻率為 7.07 × 105 rad/s，當電阻 R 為 5 kΩ 時，…