國營聯招 儀電電路學、電子學100 年第 40 題單選題
N 型增強型(Enhancement type) MOSFET 通道導通的條件是?(VTH 為臨界電壓)
A$V_{GS} < 0$
B$V_{GS} > V_{TH}$正確答案
C$V_{GS} < V_{TH}$
D$\mathrm{V_{GS}} = 0$
B正確答案
N型增強型MOSFET須VGS > VTH(臨界電壓)才能形成反轉層,使通道導通。
逐選項解析
A$V_{GS} < 0$✕ 易錯陷阱
VGS < 0 是P型增強型MOSFET的導通方向(VTH為負值),對N型增強型來說VGS為負時根本無法形成N通道。
C$V_{GS} < V_{TH}$✕ 易錯陷阱
VGS < VTH 表示閘極電壓不足,無法在P型基板形成反轉層,元件處於截止(OFF)狀態;此為耗盡型(Depletion type)的分析角度,不適用增強型。
D$\mathrm{V_{GS}} = 0$✕ 錯誤
立即註冊,看完整詳解
這題的完整詳解,註冊就能看 · 每天 2 題免費
精選詳解- 完整逐選項解析
- 秒殺解題技巧與破題關鍵
- 關鍵知識表整理
- 陷阱與易錯提醒
- 同考點歷屆題庫連續刷題與錯題本