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國營聯招 儀電電路學、電子學100 年第 40 題單選題

N 型增強型(Enhancement type) MOSFET 通道導通的條件是?(VTH 為臨界電壓)

A$V_{GS} < 0$
B$V_{GS} > V_{TH}$正確答案
C$V_{GS} < V_{TH}$
D$\mathrm{V_{GS}} = 0$
答案與詳解
B
正確答案
N型增強型MOSFET須VGS > VTH(臨界電壓)才能形成反轉層,使通道導通。

逐選項解析

A$V_{GS} < 0$✕ 易錯陷阱
VGS < 0 是P型增強型MOSFET的導通方向(VTH為負值),對N型增強型來說VGS為負時根本無法形成N通道。
B$V_{GS} > V_{TH}$✓ 正確
C$V_{GS} < V_{TH}$✕ 易錯陷阱
VGS < VTH 表示閘極電壓不足,無法在P型基板形成反轉層,元件處於截止(OFF)狀態;此為耗盡型(Depletion type)的分析角度,不適用增強型。
D$\mathrm{V_{GS}} = 0$✕ 錯誤

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