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國營聯招 儀電電路學、電子學100 年第 35 題單選題考點:最高輸出電壓考點:最低輸出電壓顛倒

一具空乏型負載的 NMOS 放大器和一 CMOS 數位邏輯反相器相互比較之下,它們之輸入-輸出特性曲線之最大不同處為何?

A空乏型負載之NMOS 放大器最高輸出電壓較大
B空乏型負載之NMOS 之最低輸出電壓可為零,但CMOS 不為零
C兩者相位差 180 度
DCMOS 之輸出電壓可為零,但空乏型負載之NMOS 不為零正確答案
答案與詳解
D
正確答案
空乏型負載NMOS的最低輸出電壓無法降到0V(受負載MOSFET夾斷電流限制),而CMOS反相器輸出可達真正的0V與VDD。

逐選項解析

A空乏型負載之NMOS 放大器最高輸出電壓較大最高輸出電壓✕ 錯誤
兩者最高輸出電壓均約等於VDD,空乏型負載NMOS並不比CMOS更高,此選項描述有誤。
B空乏型負載之NMOS 之最低輸出電壓可為零,但CMOS 不為零最低輸出電壓顛倒✕ 易錯陷阱
此選項把兩者描述顛倒。事實上是CMOS輸出可為0V,空乏型負載NMOS輸出最低值不為零,B的敘述與正確情況相反,為常見陷阱。
C兩者相位差 180 度✕ 錯誤
DCMOS 之輸出電壓可為零,但空乏型負載之NMOS 不為零✓ 正確

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