矽晶接面二極體等效電路模型中的擴散電容（Diffusion Capacitance），是由下列那一項的物理現象所形成？
A金屬和半導體所形成的歐姆接觸
B接面的崩潰效應
C接面空乏區
D二極體順偏時的注入電荷正確答案
答案與詳解
逐選項解析
A金屬和半導體所形成的歐姆接觸歐姆接觸✕ 錯誤
金屬與半導體形成的歐姆接觸主要是電阻性接觸，不會產生擴散電容，與電容效應無關。
B接面的崩潰效應崩潰效應✕ 錯誤
接面崩潰效應（雪崩或齊納）發生在高逆偏電壓下，與擴散電容的形成機制無關。
C接面空乏區✕ 易錯陷阱
D二極體順偏時的注入電荷✓ 正確
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