對一 PN 二極體施加逆向偏壓，有關逆向飽和電流 IS 的敘述何者有誤？
A逆向偏壓時會產生極小的逆向飽和電流 IS（約 10⁻¹⁴ A）
BIS 由少數載子數量控制
C溫度越高，IS 會上升
DJunction 面積增加會使 IS 下降正確答案
答案與詳解
逐選項解析
A逆向偏壓時會產生極小的逆向飽和電流 IS（約 10⁻¹⁴ A）IS數量級✕ 錯誤
逆向飽和電流IS數量級約10⁻¹²～10⁻¹⁵ A，矽二極體典型值約10⁻¹⁴ A，敘述正確。
BIS 由少數載子數量控制少數載子控制✕ 錯誤
逆向偏壓下，多數載子被推離接面，IS由接面兩側的少數載子（電洞/電子）漂移形成，敘述正確。
C溫度越高，IS 會上升✕ 錯誤
DJunction 面積增加會使 IS 下降✓ 正確
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