106 年 · 電路學、電子學

求右圖電路中的V=？

求右圖電路中的I=？

有關重疊定理(Principle of Superposition)的應用，下列何者有誤？

兩個磁耦合線圈的自感分別為L1 = 10 mH，L2 = 16 mH，設耦合係數為0.85，求互感量為？

求右圖所示電路，a、b兩端的等效電容？

理想二極體組成之箝位器(Diode Clampers)電路，如右圖所示，若輸入為0 ~10 V之方波，試求其輸出電壓範圍？

若一齊納二極體(Zener Diode)在25 ℃時崩潰電壓為15 V，溫度係數為0.02 %/℃，若崩潰電壓升為15.135 …

經過全波整流器(Full-Wave Rectifier)之正弦波信號，輸出電壓平均值 Vavg 與輸入電壓峰值 Vp 的關係為？

有關於BJT電晶體(npn)之敘述，下列敘述何者有誤？

求右圖電路中的V =？

求右圖電路中，5 Ω所消耗的功率？

有一個戴維寧等效電路是由一獨立電壓源VTh 串聯一電阻RTh 組成，請問轉換為諾頓等效電路後的獨立電流源IN 為？

有一負載的功率因數為1.0，請問此負載屬何種性質負載？

右圖所示電路是理想的運算放大器，求V0=？

若一BJT電晶體分壓器偏壓電路如右圖，若電晶體βDC =100，試求VC？

有一差動放大器，CMRR= 2000、共模增益ACM = 0.2、輸入電壓分別為200 μV、100 μV，求輸出電壓？

對於電晶體組成共射極放大器(Common-Emitter Amplifier)電路特性，下列敘述何者有誤？

關於達靈頓對(Darlington Pair)組成之射極隨耦器，下列敘述何者正確？

右圖所示電路為理想的運算放大器，求Rin =？

一電感器兩端的電壓為V(t) = 40e^(−10t) V，請問電感器的電壓變成10 V時，t 為何值？

一RLC並聯電路的電阻值、電感值以及電容值分別為2500 Ω、2.5 H、4 nF，其電壓響應應屬於何種性質？

有一個10 Ω電阻器與一個5 mH電感器並聯，然後再跟一個5 Ω電阻，以及一個10 μF的電容器串聯，求此電路在ω = 2000…

已知一弦波電壓為V=10 cos(1256t − 53.13°)，求其週期為？

關於放大器之敘述，下列敘述何者有誤？

有一AB類放大器電路如右圖，試求其交流輸出功率為？

如右圖之JFET共源極放大器電路，若VGS = 20 V時、反向漏電流IGSS =50 nA，由信號源看入之輸入阻抗為何？

對JFET自給偏壓(Self-Bias)電路，若希望工作點設定在轉換特性曲線的中點，意即ID = (1/2)IDSS，下列哪一種…

有一增強型MOSFET，其臨界電壓VGS(th) =2 V，當VGS =8 V時、對應之ID(on) =200 mA，求VGS …

有關弦波穩態功率的敘述，下列何者有誤？

如右圖所示電路，轉移到負載阻抗ZL的最大功率為何？

有一平衡三相電路VAN 為120∠-30° V，且為正相序，VBC 的值為？

有一個三相額定平均功率為20 kW的負載，已知電源的三相線路的線電壓額定值為240 V，線電流為50 A，求負載所吸收的無效功率…

有一函數F(s) = (18S² + 66S + 54) / [(S+1)(S+2)(S+3)]，求f(t)？

下列敘述何者有誤？

如右圖之MOSFET電路架構，A、B為輸入，Vout 為輸出，若希望輸出得到高電位(VDD)，試問A、B輸入應為何？

下列何者對電晶體放大電路高頻響應影響較大？

關於負回授與非負回授運算放大器比較，下列敘述何者有誤？

如右圖之理想運算放大器電路，具有100 dB開迴路增益和4 MHz的單位增益頻寬fT，下列敘述何者有誤？

求右圖電路中，流經5 Ω的電流 i =？

利用一50 mH的電感器設計一個截止頻率為1500 Hz的RL低通濾波器，求電阻器R值？

右圖所示為一帶通濾波器求共振頻率W0？

有一個0.3 mF的電容器，其端點電壓為40e^(−150t) sin 300t V，求電容器上的電流 i(0)？

一般家庭用戶所使用的110 V為弦波電壓的均方根值，請問110 V的最大值為？

若有一BJT電晶體在工作區時，其基極電流為0.2 mA、射極電流為20 mA，試求其直流增益βDC 為何？

試求如右圖中低通濾波器臨界頻率fC 為何？

關於振盪器之敘述，下列敘述何者有誤？

有一MOSFET，若IDSS =10 mA、VGS(off) = -4 V，當VGS = -2 V時，試求其轉換電導gm？

如右圖JFET共源極放大器電路，試求電壓增益AV 為何？