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國營聯招 儀電國營聯招 電機
電路學、電子學106 年第 10 題單選題考點:飽和區偏壓條件考點:截止區條件

有關於BJT電晶體(npn)之敘述,下列敘述何者有誤?

A基極-射極、基極-集極接面皆施與順向偏壓,電晶體將工作於飽和區
B當基極電流逐漸下降為0,電晶體將進入截止區
C在飽和區工作之電晶體,IC = βDC × IB正確答案
D一般BJT之電壓增益參數βDC 會隨著接面溫度Tj 上升而增加
答案與詳解
C
正確答案
BJT(npn)飽和區特性:飽和區中 IC ≠ βDC × IB,此關係式僅適用於主動(線性)區;飽和區的 IC 由外部電路決定,遠小於 β×IB 的計算值。

逐選項解析

A基極-射極、基極-集極接面皆施與順向偏壓,電晶體將工作於飽和區飽和區偏壓條件✕ 錯誤
正確描述。BJT飽和區定義:BE接面順偏 + BC接面也順偏,npn飽和時 VBE>0 且 VBC>0,敘述無誤。
B當基極電流逐漸下降為0,電晶體將進入截止區截止區條件✕ 錯誤
正確描述。截止區定義為 IB=0(兩接面皆逆偏或無偏壓),此時 IC≈0,電晶體截止,敘述無誤。
C在飽和區工作之電晶體,IC = βDC × IB✓ 正確
D一般BJT之電壓增益參數βDC 會隨著接面溫度Tj 上升而增加✕ 錯誤

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