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國營聯招 儀電電路學、電子學10649單選題

有一MOSFET,若IDSS =10 mA、VGS(off) = -4 V,當VGS = -2 V時,試求其轉換電導gm?

A1 mS
B2.5 mS正確答案
C5 mS
D9 mS
答案與詳解
B
正確答案
N通道空乏型MOSFET轉換電導gm公式:先算ID,再用gm = gm0(1 - VGS/VP),其中gm0 = 2IDSS/|VP|

為什麼答案是 B

正確答案。gm0=2IDSS/|VP|=2×10/4=5mS;gm=gm0×(1-VGS/VP)=5×(1-(-2)/(-4))=5×0.5=2.5mS

考點:gm公式錯誤考點:gm正確計算考點:混淆gm0與gm考點:無效干擾項
載入中…

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黑皮