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電路學、電子學103 年第 33 題單選題考點:錯誤的二次根考點:參數代錯

如右圖FET偏壓電路,給定VT=1 V,kn(W/L)=1 mA/V²,在忽略通道長度調變效應(Channel-length Modulation effect)下,求ID電流?(VDD=+10V,RG1=10MΩ,RG2=10MΩ,RD=6kΩ,RS=6kΩ)

題目圖片
A0.23 mA
B0.36 mA
C0.5 mA正確答案
D0.89 mA
答案與詳解
C
正確答案
NMOS分壓偏壓電路,先求VG,再用ID=½·k'n(W/L)·(VGS-VT)²聯立VS=ID·RS求解ID=0.5mA

逐選項解析

A0.23 mA錯誤的二次根✕ 錯誤
ID=0.23mA不符合飽和區方程式的解,可能是計算過程中符號錯誤或取錯根所致
B0.36 mA參數代錯✕ 錯誤
ID=0.36mA亦非正確聯立解,可能誤用了不同的k'n值或VT值代入計算
C0.5 mA✓ 正確
D0.89 mA✕ 易錯陷阱

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