如右圖FET偏壓電路，給定VT=1 V，kn(W/L)=1 mA/V²，在忽略通道長度調變效應(Channel-length Modulation effect)下，求ID電流？（VDD=+10V，RG1=10MΩ，RG2=10MΩ，RD=6kΩ，RS=6kΩ）
A0.23 mA
B0.36 mA
C0.5 mA正確答案
D0.89 mA
答案與詳解
為什麼答案是 C
VG=5V，設ID=x mA，VGS=5-6x，代入½×1×(5-6x-1)²=x，展開得18x²-25x+8=0，解得x=0.5或x≈0.889，驗算VGS>VT且VDS>VGS-VT，x=0.5mA為合理工作點
考點：錯誤的二次根考點：參數代錯考點：NMOS飽和區偏壓考點：二次根取捨陷阱
載入中…
