98 年 · 電路學、電子學
經濟部所屬事業機構新進職員甄試 · 共 19 題 · 點題目看答案與詳解
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圖1電路中輸入電壓 e(t)=10 sin2t 伏特,已知 sin53°=0.8,求電流(安培)
如圖1所示,計算傳送到此電路之平均電功率
計算圖3電路之平均電功率
對 NPN BJT 電晶體工作在動作(Active)、截止(Cutoff)、飽和(Saturation)區,下列敘述何者錯誤?
如圖16,為何一種型式之 MOSFET 電晶體之特性曲線?
對 BJT 電晶體信號放大,若需要得到最低之輸入阻抗,應使用?
如圖17,N-MOSFET 元件,其 μn·Cox=10 μA/V²,通道 W=200 μm,長 L=10 μm,求元件 Kn …
如圖17,已知 iD=0.4mA,Vt=2V,忽略通道效應 λ=0,計算 R 值
如圖18輸入電壓,計算 OP 放大器電路之輸出 Vout?
如圖19輸入電壓,計算 OP 放大器電路之輸出 Vout=?
如圖20,R=1kΩ,C=10μF,OP 放大器電路 high pass 電路之 cutoff 頻率響應 f0=?
對 BJT 電晶體信號放大採自偏電壓(self-biasing)之設計及增加 Re 電阻,下列敘述何者為正確?
米勒效應(Miller Effect)現象係發生在?
如圖24功率級放大電路,電路架構屬何類型?
圖31中 E=200∠20°,R3=8Ω,求總電流 IT 值(安培)
計算圖31電路之總阻抗ZT為多少歐姆
圖33的總電阻 RT 等於
如圖34半波整流電路,漣波電壓 Vripple 為1V(peak to peak),計算電容C值為?
如圖38所示,固定電流提供0.2 mA至圖38電路,μpCox=100 μA/V²,通道W=100μm,L=10μm,求該MOS…