關於p-n接面二極體(p-n junction diode)之敘述，下列何者有誤？
A開路狀態下，空乏區(Depletion region)的寬度會較深入摻雜濃度低的一邊
B逆向偏壓時，空乏區所形成的電容變大正確答案
C順向偏壓時，電流與電壓呈指數關係
D多數載子之移動形成擴散電流
答案與詳解
為什麼答案是 B
錯誤敘述（本題答案）。逆向偏壓增大時，空乏區寬度W增大，接面電容C = εA/W 反而減小，不是變大。此為變容二極體（Varactor）的核心原理。
考點：空乏區不對稱分佈考點：逆偏空乏電容考點：Shockley方程式考點：擴散電流vs漂移電流
載入中…
