有一 N通道增強型MOSFET的臨界電壓VT = 2 V，當VGS = 5 V時，MOSFET工作於飽和區(夾止區)，ID = 3 mA。若VGS = 8 V，則轉移電導gm為下列何者？
A1 mS
B2 mS
C4 mS正確答案
D6 mS
答案與詳解
為什麼答案是 C
K=ID/(VGS−VT)²=3mA/(5−2)²=3/9=1/3 mA/V²；VGS=8V時gm=2K(8−2)=2×(1/3)×6=4 mS，正確。
考點：gm計算錯誤考點：混用不同偏壓點考點：飽和區gm公式考點：K值計算錯誤
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