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電路學、電子學109 年第 50 題單選題考點：gm計算錯誤考點：混用不同偏壓點

有一 N通道增強型MOSFET的臨界電壓 ，當 時，MOSFET工作於飽和區(夾止區)， 。若 ，則轉移電導 為下列何者？

A1 mS
B2 mS
C4 mS正確答案
D6 mS
答案與詳解
C
正確答案
MOSFET飽和區轉移電導gm = K·2(VGS−VT)，先由已知條件求K，再代入VGS=8V求gm。

逐選項解析

A1 mSgm計算錯誤✕ 錯誤
gm=1 mS對應VGS−VT=1.5V左右，與VGS=8V、VT=2V的情況不符。
B2 mS混用不同偏壓點✕ 易錯陷阱
可能誤用VGS=5V時的gm值：2K×(5−2)=2×(1/3)×3=2 mS，此為VGS=5V的結果，非VGS=8V。
C4 mS✓ 正確
D6 mS✕ 錯誤
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