112 年 · 電路學、電子學

如右圖所示之電路圖，若 Vx = -25 V，請問 α 值為何？

如右圖所示之電路圖，請問 i1 與 V1 值分別為何？

如右圖所示之基本理想電路元件電路圖，在 t < 0 時，V(t) 及 i(t) 皆為 0，在 t ≥ 0 時，分別為 V(t) …

有一電感器為 2 H，初始電流為 20 A，請問儲存於電感器中之初始能量為何？

如右圖所示之電路圖，若 i1 = 4 A，請問 R 值為何？

如右圖所示之電路圖，請問 Vo 值為何？

如右圖所示之電路圖，若 Vs = 50 V，請問 i1 值為何？

如右圖所示之電路圖，若利用迴路電流分析法(Mesh Current Analysis)，請問 VΦ 與 ia 值分別為何？

如右圖所示之電路圖，Vs = 2∠0° V，ω = 10^6 rad/s，R1 = 5 kΩ，R2 = 100 kΩ，R3 = …

如右圖所示之電路圖，請問戴維寧等效電壓(Vth)與電阻(Rth)分別為何？

有一反向放大器輸入電壓為 Vs，增益為 -12，且使用 ±15 V 電源，若使該反向放大器能維持在線性區，請問 Vs 範圍為何？

有關理想的運算放大器，下列敘述何者有誤？

請問 RL 電路之時間常數(τ)為何？

如右圖所示之電路圖，流經電感器 L1 (5H) 及 L2 (20H) 之初始電流分別為 i1 = 8 A 及 i2 = 4 A，…

請問下列何者為 RLC 並聯電路特徵方程式？

如右圖所示之電路圖，開關已扳開許久，在 t = 0 時開關閉合，請問 t ≥ 0 時之 V(t) 值為何？

有一 RLC 並聯電路，R = 200 Ω，L = 50 mH，C = 0.2 μF，請問該電路之納頻率(Neper Frequ…

如右圖所示之電路圖，開關已在 a 位置許久，在 t = 0 的瞬間由 a 位置扳到 b 位置，請問 i、V1 及 V2 在 s …

有一 RLC 串聯電路，R = 90 Ω，L = 32 mH，C = 5 μF，串聯於 Vs = 750cos(5000t + …

如右圖所示之電路圖，請問 a、b 之間的戴維寧等效電壓(Vth)及阻抗(Zth)分別為何？

假設一拉氏函數為 F(s) = (6s² + 26s + 26) / [(s+1)(s+2)(s+3)]，請利用反拉氏轉換求出 …

如右圖所示之電路圖，下列何者為該電路之轉移函數 H(s) = Vo / Vg？

如右圖所示之雙埠電路圖，下列何者為該電路之 z 參數值？

霍爾效應(Hall Effect)使用在半導體測試中，主要用來決定下列何者？

有一理想矽質 PN 接面的二極體，在溫度為 18 °C 時(VT = 25 mV)，其逆向偏壓的飽和電流為 IS = 2 × 1…

有關 PN 接面的二極體，下列敘述何者有誤？

如右圖所示之二極體電路圖，若各二極體均為理想二極體，下列敘述何者有誤？

一般 BJT 電晶體作為線性放大器，電晶體必須施加適當偏壓，使工作點(Operation Point)落在下列何種區域，可獲得較…

如右圖所示之 BJT 電晶體分壓器偏壓電路圖，若電晶體 βDC = 80，VBE = 0.7 V，請問 VC 為何？

有關 BJT 與 FET 之比較，下列敘述何者正確？

有一 BJT 在環境溫度為 25 ℃ 時，具最大散熱功率 PDO 為 2 W，最大接面溫度為 150 ℃，請問當環境溫度上升至 …

有關如何有效降低增強型 NMOS 電晶體的 VT (Threshold Voltage)值，下列敘述何者正確？

有關 MOSFET 之敘述，下述何者有誤？

有關 JFET 自給偏壓(Self-Bias)電路，若希望工作點(Operating Point)設定在轉換特性曲線的中點，意即…

有一空乏型 n 通道 MOSFET，K'n W / L = 2 mA / V²，Vt = -3 V，其源極與閘極均接地。下列敘述…

有關 MOS 電流鏡和 BJT 電流鏡的比較，下列敘述何者有誤？

如右圖所示之主動負載 CE 放大器，定電流源 I 由一 PNP 電晶體組成。令 I = 0.2 mA，兩電晶體之 |VA| = …

如右圖所示之電流轉換器電路圖，所有電晶體 β = 80，假設二極體與電晶體飽和電流 IS 相同，VT = 25 mV，n = 1…

有一個一階運算放大器，其直流增益為 106 ，且有一極點於 10 rad/s 時，零點為無窮大，若使用電阻將其組成非反向放大器，…

請問下列多級放大器耦合類別中，最佳低頻響應為何？

如右圖所示之簡單音頻放大器電路圖，若要得到較低的轉角頻率 fL = 50 Hz，請問 C 耦合電容值為何？

有關負回授與非負回授運算放大器之比較，下列敘述何者有誤？

如右圖所示之並聯-串聯式(Shunt-Series)負回授放大電路，電晶體參數 gm1 = gm2 = 6 mA/V，若忽略爾利…

如右圖所示之 A 類放大電路，能有最大功率輸出時(即 Q 點位於負載線中間處)，請問電阻值 RB 約為多少？

設計一個哈特萊振盪器(Hartley Oscillator)，振盪頻率為 100 kHz，電感 L1 = L2 = 0.2 mH…

有一由運算放大器及 3組 RC 電路組成之相移振盪器，假設所有電阻均為 R、所有電容均為 C，下列敘述何者有誤？

兩端輸入的 CMOS XOR 邏輯閘，至少需由多少顆電晶體組成？

有關 CMOS 反相器(Inverter)之功率消耗，下列敘述何者有誤？