在未外加偏壓的情況下，有關PN接面二極體空乏區之敘述，下列何者正確？
AP、N兩側空乏區的寬度，與其所摻雜的雜質濃度成正比
B矽質材料製成的二極體障壁電位比鍺質材料的二極體低
C所形成的障壁電位，在空乏區N側的電位比P側的電位低
D空乏區會抑制擴散電流正確答案
答案與詳解
逐選項解析
AP、N兩側空乏區的寬度，與其所摻雜的雜質濃度成正比空乏區寬度與摻雜✕ 易錯陷阱
空乏區寬度與雜質濃度成「反比」，雜質濃度越高，空乏區越窄（因為需要較少的空間就能建立足夠的電場平衡）。題目說「正比」，完全相反。
B矽質材料製成的二極體障壁電位比鍺質材料的二極體低障壁電位Si vs Ge✕ 錯誤
矽(Si)的障壁電位約0.6~0.7V，鍺(Ge)約0.2~0.3V，Si的障壁電位「高於」Ge，而非低於。選項描述與事實相反。
C所形成的障壁電位，在空乏區N側的電位比P側的電位低✕ 易錯陷阱
D空乏區會抑制擴散電流✓ 正確
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