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國營聯招 儀電電路學、電子學11126單選題

在未外加偏壓的情況下,有關PN接面二極體空乏區之敘述,下列何者正確?

AP、N兩側空乏區的寬度,與其所摻雜的雜質濃度成正比
B矽質材料製成的二極體障壁電位比鍺質材料的二極體低
C所形成的障壁電位,在空乏區N側的電位比P側的電位低
D空乏區會抑制擴散電流正確答案
答案與詳解
D
正確答案
未偏壓PN接面空乏區:內建電場阻止多數載子擴散,空乏區N側電位高於P側,障壁電位Si>Ge,寬度與雜質濃度成反比。

為什麼答案是 D

空乏區內建電場由N→P,形成阻礙多數載子繼續擴散的力量。電子欲從N往P擴散,內建電場將其推回;電洞欲從P往N擴散,內建電場同樣推回。平衡時擴散電流與漂移電流相等,空乏區確實「抑制」擴散電流的繼續增長。

考點:空乏區寬度與摻雜考點:障壁電位Si vs Ge考點:內建電場極性考點:空乏區抑制擴散
載入中…

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黑皮