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國營聯招 儀電電路學、電子學11139單選題

已知某N通道空乏型 MOSFET 之夾止電壓 VGS(off) = -7 V,若此 MOSFET 工作於飽和區,且閘極對源極電壓 VGS 為0 V時,汲極電流為 18 mA,試問當閘極對源極 VGS 電壓為 -3.5 V時,汲極電流 ID 為何?

A3.75 mA
B4.5 mA正確答案
C5 mA
D6.25 mA
答案與詳解
B
正確答案
空乏型MOSFET飽和區電流公式:ID = IDSS × (1 - VGS/VP)²,代入VGS=-3.5V、VP=-7V、IDSS=18mA求ID。

為什麼答案是 B

ID = 18 × (1 - (-3.5)/(-7))² = 18 × (0.5)² = 18 × 0.25 = 4.5 mA,計算正確。

考點:忽略平方項陷阱考點:MOSFET飽和電流公式考點:符號處理錯誤考點:IDSS誤用陷阱
載入中…

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黑皮